特許
J-GLOBAL ID：200903013780864184
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141750
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334168
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、Si基板上にIII-V族混晶半導体をエピタキシャル成長させてSi電子素子とモノリシックに集積しうる光半導体素子を提供する事である。【構成】 Si基板結晶の上に、クラッド層が格子整合するGaNP、活性層がGaNP/GaNAs応力補償型超格子よりなるレーザダイオードとSi-MOS-FETが集積されている。また、同基板結晶上には、GaNP/GaNAs応力補償型超格子光吸収層を有するpinフォトダイオードとSi-MOS-FETも集積されている。これらの光半導体素子はSi基板結晶中に設けられた光導波路により結合されている。【効果】 本発明によれば、Si基板上にIII-V族混晶半導体をミスフィット転位を発生させる事なくエピタキシャル成長させる事が可能となり、Si電子素子とモノリシックに集積しうる半導体素子を提供する事ができ、OEICへ応用できる。
請求項（抜粋）：
N系混晶半導体Al(a)Ga(b)In(1-a-b)N(x)P(y)As(z)Sb(1-x-y-z) (0≦a≦1,0≦b≦1, 0<x<1,0≦y<1,0≦z<1)を用いた半導体素子において、半導体素子を構成する複数の半導体層の格子歪がミスフィット転位が発生する臨界歪量以内である事を特徴とする半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 27/15
, H01L 29/91
, H01L 33/00
, H01S 3/18
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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