特許
J-GLOBAL ID：200903013782188763

半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
小山内 潤

小山内 潤 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098727
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294757
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 高分解能であるライン型もしくはエリア型イメージセンサー集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SOI基板を用いた半導体集積回路装置において、信号処理回路はSOI領域中に形成し、フォトダイオードはバルク領域中に側壁ならびに底部に拡散層を設けたトレンチ構造にして、その内部は絶縁膜ないしは絶縁膜と電位を与えられる多結晶シリコンから成る半導体集積回路装置の製造方法により、ゼルサイズは小さいながらもS/N比が十分にあるフォトダイオードを搭載した半導体集積回路装置とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成した埋込絶縁層によって、素子の形成される主面部分を絶縁分離したSOI型半導体集積回路装置の製造方法において、前記埋込絶縁層を部分的に形成する工程と、前記埋込絶縁層が設けられていない領域にダイオード型フォトセンサーを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/12 ,  H01S 5/026
FI (3件)：
H01L 27/14 Z ,  H01L 27/12 L ,  H01S 3/18 616
Fターム (12件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA19 ,  4M118CA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F073CB04 ,  5F073DA14
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-340275
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-322823   出願人：日本電装株式会社
  • 特開平1-123468

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