特許
J-GLOBAL ID:200903013782616560

電磁デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-522598
公開番号(公開出願番号):特表2001-524748
出願日: 1998年09月29日
公開日(公表日): 2001年12月04日
要約:
【要約】電磁デバイスは、少なくとも1つの磁気回路(1)と、少なくとも1つの巻き線(4、5)を含む少なくとも1つの電気回路(2、3)とを含む。この磁気回路と電気回路は互いに誘電的に接続されている。このデバイスはデバイス自身の動作を制御する制御装置(7)を含む。この制御装置は、上記磁気回路中の磁束を制御する手段(9)を含む制御装置によって、上記デバイスとやりとりされる電力に関連する周波数、振幅および/または位相を制御するように構成されている。
請求項(抜粋):
少なくとも1つの磁気回路(1)と、少なくとも1つの巻き線(4、5)を含む少なくとも1つの電気回路(2、3)とを備える電磁デバイスであって、前記磁気回路および前記電気回路が互いに誘電的に接続されており、且つ前記デバイスがこのデバイスの動作を制御する制御装置(7)を備えており;前記制御装置(7)が、前記磁気回路中の磁束を制御する手段(9)を含む前記制御装置により前記デバイスとの間でやりとりされる電力に関する周波数、振幅および/または位相を制御するように構成されており;前記の少なくとも1つの巻き線(4、5)または少なくともその1部が、固体絶縁材料によって内部層(43)の内部に形成された電気的絶縁体(44)を含む絶縁体システムを有する少なくとも1つの導体(42)を備え;前記の少なくとも1つの導体(42)が前記内部層(43)の内部に配置され;且つ前記内部層は、前記導体の導電率より低いが、前記内部層(43)が前記内部層の外部にある電場に対して等化作用を引き起こすのに十分な導電率を有することを特徴とする電磁デバイス。
IPC (3件):
H01F 27/28 ,  H02K 3/40 ,  H01F 27/32
FI (3件):
H01F 27/28 L ,  H02K 3/40 ,  H01F 27/32 Z
Fターム (20件):
5E043AA02 ,  5E043AB01 ,  5E044AA08 ,  5E044AC01 ,  5E044CA01 ,  5H604AA01 ,  5H604BB01 ,  5H604BB03 ,  5H604BB09 ,  5H604BB10 ,  5H604BB14 ,  5H604CC01 ,  5H604CC02 ,  5H604CC05 ,  5H604DA14 ,  5H604DA17 ,  5H604DB16 ,  5H604PB01 ,  5H604PD06 ,  5H604PD07

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