特許
J-GLOBAL ID：200903013790293509
半導体火炎センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-321156
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153483
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】300nmより大の波長領域の光を感知しない状態で、300nm以下の光を効率的に感知する半導体火炎センサを提供する。【解決手段】少なくとも一層以上の半導体層により構成される受光部と、半導体層の受光部の入射光側に配置されたフィルタを備える半導体火炎センサにおいて、半導体層が、Iny Alx Ga1-x-y N (x≧0、y≧0)系の材料で成り、受光部が受ける光の波長が300nm以下、あるいはその一部の波長領域においてのみ受光部の量子効率が1%以上となるように構成され、フィルタの透過率を照射される光の波長の関数としてあらわした際に波長が280nmにおいて透過率が30%を超えるフィルタを利用する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一層以上の半導体層により構成される受光部と、前記半導体層の受光部の入射光側に配置されたフィルタ手段を備える半導体火炎センサにおいて、前記半導体層が、Iny Alx Ga1-x-y N (x≧0、y≧0)系の材料で成り、前記受光部の量子効率が、300nm以下あるいはその一部の波長領域の光に対してのみ1%以上となるように構成され、前記フィルタ手段の透過率を照射される光の波長の関数としてあらわした際に前記波長が280nmにおいて前記透過率が30%を超える半導体火炎センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01J 1/42 C
, G01J 1/02 B
