特許
J-GLOBAL ID：200903013791473020
ガスセルの製造方法及びガスセル
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131629
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283526
出願日： 2008年05月20日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】ガラス基板の接合を一方のみとして製造工程を削減すると共に、ガスセルの信頼性を向上したガスセル製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る製造方法は、板状のシリコンウェハ1の片面に酸化皮膜2を形成する酸化皮膜形成工程(a)と、パターニング工程によりパターニングされたシリコンウェハ1をエッチングしてセルユニット5を形成するエッチング工程(b)と、エッチング後のシリコンウェハ1aの表面1bを研磨する研磨工程(c)と、セルユニット5に所定の圧力下でルビジウムガス8を満たし(d)、その状態でシリコンウェハ1aの表面1bに透明基板7を接合してルビジウムガス8を封入する封入工程(e)と、図示は省略するが、透明基板7が接合された後のシリコンウェハをセルユニット単位で切断することにより複数個のガスセルを形成するガスセル形成工程と、を備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェハの片面に酸化皮膜を形成する酸化皮膜形成工程と、
前記シリコンウェハの他面にレジスト膜によりパターニングするパターニング工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記シリコンウェハの他面をエッチングすることにより
該シリコンウェハに複数の貫通穴を形成するエッチング工程と、
前記レジストを除去した上で、前記シリコンウェハのエッチング面を研磨する研磨工程
と、
所定の圧力下で前記各貫通穴内にアルカリ金属ガスを満たした状態で前記シリコンウェ
ハのエッチング面に透明基板を接合することによりアルカリ金属ガスを封入する封入工程
と、
前記透明基板が接合された後のシリコンウェハを前記貫通穴単位で切断することにより
複数個のガスセルを形成するガスセル形成工程と、を備えたことを特徴とするガスセルの
製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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