特許
J-GLOBAL ID：200903013793869541
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066500
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275639
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロ構造FETで深い準位に起因した特性変動を無くす。【構成】 エピタキシャル成長法によりチャネル層を形成するnチャネルFETICにおいて、バッファ層2へ選択エッチング、選択イオン注入でコンタクト電極を設け、これに低い電圧を印加して浮遊ホールを吸収することにより深い準位への充放電を防ぐ。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長法によりチャネル層を形成するnチャネルFETICにおいて、チャネル層より深いエピタキシャル層部分への電極の電圧を回路の動作電圧の最も低い電圧以下にしたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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