特許
J-GLOBAL ID：200903013803740968
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141904
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349817
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない、しかも膜中の含水率の小さい優れた膜質のものを形成する。【構成】 半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、あらかじめ絶縁膜を形成しようとする下地表面を有機化合物で処理する。しかる後に該絶縁膜を有機けい素化合物とオゾンとを原料として用いる化学気相成長によって形成し、次いでフロロアルコキシシラン12の蒸気に曝露させる。このように有機化合物で処理し、絶縁膜を形成した後に後処理を施すことにより、膜中の含水率が効果的に低減できた。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、絶縁膜を形成しようとする下地表面を有機化合物で処理し、次いで該絶縁膜を有機けい素化合物とオゾンとを原料として用いる化学気相成長によって形成した後、フロロアルコキシシラン蒸気に曝露させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/90
, H01L 29/784
