特許
J-GLOBAL ID：200903013806205427
シリコン基板の加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230083
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062964
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、アルカリ液を用いた異方性エッチングによりシリコン基板を加工する際の加工形状精度を向上させることを目的とする。【構成】 本発明は、アルカリ液を用いた異方性エッチングにより、シリコン基板に溝、貫通穴、ダイアフラム等を形成する加工工程において、エッチングマスクとして厚みが異なる部分を有するSiO2 膜を用い、シリコン基板のエッチングの最中に該SiO2 膜の厚みがより薄い部分を順次エッチングにより消失させ、消失したSiO2 膜に下地のシリコンを続いてエッチングすることによりシリコン基板に複数の深さを有する構造を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
アルカリエッチング液を用いた異方性エッチングにより、シリコン基板に溝、貫通穴、ダイアフラム等を形成するシリコン基板の加工工程において、エッチングマスクとして厚みが異なる部分を有するSiO2 膜を用い、シリコン基板のエッチングの最中に、該SiO2 膜の厚みがより薄い部分を順次エッチングにより消失させ、消失したSiO2 膜の下地のシリコンを続いてエッチングすることにより、シリコン基板に複数の深さを有する構造を形成することを特徴とするシリコン基板の加工方法。
引用特許：
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