特許

J-GLOBAL ID：200903013806320544

GaAs集積回路の製造方法

発明者： 田村 彰良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199372
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048026
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明はGaAs集積回路の製造方法に関するもので、サイドゲート効果を抑制し素子間距離の短縮をはかり集積度の向上を提供するものである。【構成】 GaAsMESFETのチャネル以外のゲート電極の全ての部分、即ちゲート引出し部とゲート端部の部分にゲート金属を貫通してBイオン注入を行いその直下に非晶質GaAs層が形成されている。【効果】 チャネル以外のゲート電極の領域が、この直下に非晶質GaAs層を有しているため、この部分で従来サイドゲート効果の引き金となっていたゲート金属から半絶縁性GaAs基板への電流注入がなくサイドゲート効果を抑制し素子間距離を短縮し集積度の向上をはかることができる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極が半絶縁性GaAs基板に直接接触するチャネル以外の全てのゲート電極部分に、前記ゲート電極部分を貫通して半絶縁性GaAs基板に到達するように、イオン注入する工程を含むGaAs金属半導体接合型電界効果トランジスタ(MESFET)を集積することを特徴をするGaAs集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/20

FI (2件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 21/265 Q