透明導電膜とその製造方法、およびそれを備えた光電変換装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350207
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252361
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】アモルファスシリコンの吸収領域より長波長側の光を効果的に散乱させるなどして、光電変換装置の変換効率を向上させる。【解決手段】表面に存在する凸部に関し、高さの個数分布が、横軸をnm単位として表示したときに、自由度3.5〜15のχ2型の分布関数に従い、高さ/幅の比の個数分布が自由度10〜35のχ2型の分布関数に従い、高さ50〜350nmの個数が70%以上であり、高さ/幅の比0.25〜1.05の個数が90%以上である透明導電膜を提供する。

請求項（抜粋）：

表面に存在する凸部に関し、高さの個数分布が、最頻値よりも平均値が大きく、かつ、横軸をnm単位として表示してχ2型の分布関数に従うとみなしたときに最も良く近似できる自由度が3.5〜15であり、高さ/幅の比の個数分布が、最頻値よりも平均値が大きく、かつ、χ2型の分布関数に従うとみなしたときに最も良く近似できる自由度が10〜35であり、高さ50〜350nmの個数が70%以上であり、高さ/幅の比0.25〜1.05の個数が90%以上である透明導電膜。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , B32B 7/02 104 , C23C 16/40 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503

FI (5件)：

B32B 7/02 104 , C23C 16/40 , H01B 5/14 A , H01B 13/00 503 B , H01L 31/04 M

Fターム (49件)：

4F100AA28A , 4F100AR00A , 4F100AR00B , 4F100AR00C , 4F100AR00D , 4F100BA02 , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100DD01A , 4F100GB41 , 4F100JG01 , 4F100JG01A , 4F100JN01 , 4F100JN01A , 4F100JN01B , 4F100JN06 , 4F100JN18C , 4F100JN18D , 4F100YY00A , 4F100YY00C , 4F100YY00D , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030BA45 , 4K030BB12 , 4K030CA06 , 4K030FA10 , 4K030GA14 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA16 , 5F051AA05 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051FA03 , 5F051FA19 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC10 , 5G323BA03 , 5G323BB03

引用特許：

審査官引用 (1件)

特公平3-028073

前のページに戻る