特許
J-GLOBAL ID：200903013812173766
スイッチング電源制御用半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069376
公開番号（公開出願番号）：特開2003-274644
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 スイッチング素子のスイッチング動作を制御するための帰還信号が得られず、制御端子からの電流流出がなくなった場合に、スイッチング動作を停止させてこの停止状態を保持させ、スイッチング電源装置の破壊を防止するスイッチング電源制御用半導体装置を提供する。【解決手段】 制御端子24への帰還信号が切断され、制御端子24からの電流流出がなくなり、制御端子24の電圧が所定の電圧を超えると、N型MOSFET12のソース端子を流れる電流を定電流源13で設定された第1の定電流値(所定の電流値)以上とし、この状態を保持することにより、スイッチング素子1のスイッチング動作を停止させてこの停止状態を保持させる制御端子オープン時保護回路8を設ける。
請求項（抜粋）：
スイッチング電源用のスイッチング素子と、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御回路とを備え、前記制御回路の制御端子から流出する電流に応じて前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御するスイッチング電源制御用半導体装置であって、前記制御回路が、ゲート端子を所定のバイアス電圧に固定しソース端子を前記制御端子に接続したスイッチング制御用N型MOSFETと、下流側端子を前記スイッチング制御用N型MOSFETのドレイン端子に接続し前記スイッチング制御用N型MOSFETに所定の電流を与える定電流源とから成り、前記スイッチング制御用N型MOSFETのドレイン端子と前記定電流源の下流側端子間に前記スイッチング素子の発振を停止させる信号を出力するための出力端子を有し、前記スイッチング制御用N型MOSFETのソース端子から流出する電流が前記定電流源の所定の電流値を越えると、前記スイッチング素子の発振を停止させる信号を出力する停止制御回路と、前記スイッチング制御用N型MOSFETのソース端子および前記制御端子に接続され、前記制御端子の電圧が所定の電圧を越えたとき、前記スイッチング制御用N型MOSFETのソース端子から流出する電流を所定の電流値以上に上昇させ、この状態を保持させるための制御端子オープン時保護回路とを具備し、前記制御端子からの電流流出がなくなり、前記制御端子の電圧が所定の電圧を越えると、前記制御端子オープン時保護回路により前記スイッチング制御用N型MOSFETのソース端子から流出する電流を所定の電流値以上に上昇させてこの状態を保持し、前記停止制御回路から前記スイッチング素子の発振を停止させる信号を出力させてこの状態を保持することを特徴とするスイッチング電源制御用半導体装置。
Fターム (16件)：
5H730AA20
, 5H730AS05
, 5H730BB13
, 5H730BB57
, 5H730DD04
, 5H730DD26
, 5H730FD09
, 5H730FG05
, 5H730FG25
, 5H730XX03
, 5H730XX12
, 5H730XX13
, 5H730XX14
, 5H730XX23
, 5H730XX33
, 5H730XX44
