特許
J-GLOBAL ID：200903013819004684
荷電粒子線転写方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030252
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223659
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 マスク上のパターンを荷電粒子線で走査して転写対象の基板上に転写する際に、マスク上での荷電粒子線の照射量分布を一様にすると共に、高いスループットでそのパターンをその基板上に転写する。【解決手段】 マスクMのパターンを境界領域34A,34B,...を挟んで主視野33A,33B,...に分割し、マスクM上の電子線が照射される矩形の副視野12内のパターンをウエハW上の露光領域24に所定倍率で反転転写する。マスクMとウエハWとをY方向に逆向きに走査した状態で、マスクM上の主視野33A,33B,...をそれぞれ副視野12で2回走査して、主視野33A,33B,...のパターンをウエハW上の部分転写領域36A,36B,...に転写する。その各2回の走査後の照射量のY方向への分布が一様になるように電子線の強度分布を切り換える。
請求項（抜粋）：
転写用のパターンが形成されたマスクを荷電粒子線で走査して、前記パターンを転写対象の基板上に転写する荷電粒子線転写方法において、前記荷電粒子線で前記マスク上の所定領域を走査し、該走査の方向に垂直な方向の前記マスク上における前記荷電粒子線の強度分布を変更し、該強度分布変更後の荷電粒子線で前記所定領域を再走査することによって、前記所定領域内における荷電粒子線の照射量を均一化することを特徴とする荷電粒子線転写方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01J 37/305
H01L 21/30 541 S
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 M
