特許
J-GLOBAL ID：200903013822339425
半導体導波路の位相変調器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-608217
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540469
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2002年11月26日
要約：
【要約】 光位相変調器は、リブの光路に沿ってPN接合部を形成するP型及びN型のドーピング領域を有する半導体リブ導波路を含んで構成され、これらの領域は、キャリア空乏領域を拡張して屈折率を変化させるために上記接合部に逆バイアスを掛けるための端子を備える。PN接合部は、リブの中心軸からオフセットされているが、逆バイアスの印加時において上記空乏領域は、導波路の中心軸を越えて拡張される。
請求項（抜粋）：
光伝送路を形成する直立リブを備える半導体層で構成される半導体導波路を含んで構成され、該導波路の半導体は、位相変調領域の長さに渡って前記リブの光路に沿って延伸する少なくとも1つのPN接合部を形成するP型及びN型のドーピング領域をともに有し、前記P型半導体は、前記半導体の表面に、前記位相変調領域に沿って延伸する高濃度にドーピングされたオーミック接触領域を有し、また、前記N型半導体は、前記半導体の表面に、前記位相変調領域に沿って延伸する高濃度にドーピングされたオーミック接触領域を有し、アノード及びカソード端子が、前記オーミック接触領域とそれぞれで接触するとともに、これらの端子の間を延伸する絶縁層により相互に分離され、選択的に操作可能な電源回路が、前記アノード及びカソード端子と接続されて、前記少なくとも1つのPN接合部を選択的に逆バイアスさせ、もって各PN接合部においてキャリア空乏領域の幅を拡張させて、前記導波路に沿った屈折率を変化させることを特徴とする光位相変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
2H079AA05
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079BA03
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079EA04
, 2H079EB04
, 2H079EB05
, 2H079HA12
, 2K002AA02
, 2K002AB05
, 2K002BA08
, 2K002CA13
, 2K002CA22
, 2K002DA07
, 2K002DA11
, 2K002DA20
, 2K002EB03
, 2K002HA05
