特許

J-GLOBAL ID：200903013826390727

Si基板及びその製造方法

発明者： 白田 知之 ,  大川 正浩 ,  岡野 広明 ,  寺岡 達夫
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163996
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017702
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 Si基板の反りを低減でき、かつ、矯正によりSi基板に割れ等が生じない新規なSi基板及びその製造方法を提供する。【構成】 Siウエハ10の表面にSiO2 等の膜11を作製したSi基板14において、上記膜11を切断して溝を形成してなり、膜11によりSiウエハ10に一様に加えられていた応力が部分的に解放され、反りtを低減できるSi基板14を作製することができる。

請求項（抜粋）：

Siウエハの表面にSiO2 等の膜を作製したSi基板において、上記膜を切断して溝を形成したことを特徴とするSi基板。