半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176733
公開番号（公開出願番号）：特開平8-044070
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、化学増幅系レジストを用いたサブクォータミクロン以下のレベルでのレジストパターンの形成方法において、レジストパターンの断面形状を垂直に形成できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、基板11上に化学増幅系ポジ型レジスト12を塗布し、これに露光スレッショールドレベルに達しないエネルギのレーザ光13を照射して、全面を露光する。そして、このレジスト12と基板11との界面付近で起こるプロトンH+ の消失反応を終了させた後、さらに化学増幅系ポジ型レジスト14を塗布し、これに電子ビーム15を照射して所望のレジストパターンを露光する。これにより、現像後の、レジスト開口部17の底部での裾引き現象の発生を回避する構成となっている。

請求項（抜粋）：

基板上に、第一の溶媒を含む第一の化学増幅系レジストを塗布し、ベーク後、露光スレッショールドレベル未満のエネルギの紫外光により全面を露光する第1の工程と、前記第一のレジスト上に、この第一のレジストとは溶媒の異なる第二の溶媒を含む第二の化学増幅系レジストを塗布し、ベーク後、電子ビームにより所望のパターンを露光する第2の工程と、前記第一,第二の化学増幅系レジストを現像する第3の工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/038 505 , G03F 7/039 501 , G03F 7/20 521 , G03F 7/30 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 541 P , H01L 21/30 566 , H01L 21/30 573

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