特許

J-GLOBAL ID：200903013828718568

サーミスタ素子およびそれを用いたサーミスタ

発明者： 大村 金吾 ,  山下 是如 ,  島田 実
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213821
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044007
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 電流容量が大きく、かつ、ばね端子との接触に強く、通電時のマイグレーションを防止する電極構造を持つ、サーミスタ素子およびそれを用いたサーミスタを提供する。【解決手段】 板状のサーミスタ素体と、このサーミスタ素体の両主面をほぼ覆うように形成されたAg-Pd電極と、このAg-Pd電極の上に前記サーミスタ素体の両主面中心部に形成されたAg中心電極と、を備えるサーミスタ素子が、前記Ag中心電極に電気的に接続された一対のばね端子で挟持され、前記サーミスタ素子が絶縁ケースに内装されている。

請求項（抜粋）：

板状のサーミスタ素体と、このサーミスタ素体の両主面をほぼ覆うように形成されたAg-Pd電極と、このAg-Pd電極の上に前記サーミスタ素体の両主面中心部に形成されたAg中心電極と、を備えることを特徴とするサーミスタ素子。

IPC (2件)：

H01C 7/04 ,  C01G 49/00

FI (2件)：

H01C 7/04 ,  C01G 49/00 D

Fターム (13件)：

4G002AA09 ,  4G002AA10 ,  4G002AD02 ,  4G002AE05 ,  5E034BA10 ,  5E034BB01 ,  5E034BC01 ,  5E034DA03 ,  5E034DB05 ,  5E034DB06 ,  5E034DC02 ,  5E034DC09 ,  5E034DC10