特許

J-GLOBAL ID：200903013829295806

太陽電池素子の形成方法

発明者： 藤井 修一 ,  福井 健次 ,  白沢 勝彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-297055
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135812
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 反射防止膜のパターニングよる減少によって太陽電池の出力特性が低下し、また電極が反射防止膜上に形成されると電極剥がれが発生するという問題があった。【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板1の一主面側に逆導電型半導体不純物1aを拡散して、一主面側にバスバー部3aとフィンガー部3bから成る格子状の表面電極3と反射防止膜2を形成し、他の主面側に裏面電極4を形成する太陽電池素子の形成方法であって、半導体基板1の一主面側に表面電極3を形成した後に反射防止膜2を形成し、次いでこの反射防止膜2上から表面電極3のバスバー部3a上に銀ペースト3cを塗布して焼き付けてとバスバー部3aと接合する。

請求項（抜粋）：

一導電型を呈する半導体基板の一主面側に逆導電型半導体不純物を拡散して、一主面側にバスバー部とフィンガー部から成る格子状の表面電極と反射防止膜を形成し、他の主面側に裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側に前記表面電極を形成した後に前記反射防止膜を形成し、次いでこの反射防止膜上から前記表面電極のバスバー部上に銀ーストを塗布して焼き付けることを特徴とする太陽電池素子の形成方法。