プラズマ処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-157841
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332555
出願日： 2005年05月30日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】プラズマを利用してシリコンを直接窒化し、良質な窒化膜を形成できる技術を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置の処理室内で被処理体表面のシリコンに対して窒素含有プラズマを作用させて直接窒化処理し、シリコン窒化膜を形成するプラズマ処理方法であって、前記窒素含有プラズマ中のラジカル成分による窒化反応が支配的となる条件でプラズマ処理を行なう第1のステップと、前記窒素含有プラズマ中のイオン成分による窒化反応が支配的となる条件でプラズマ処理を行なう第2のステップと、を含むことを特徴とする、プラズマ処理方法。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置の処理室内で被処理体表面のシリコンに対して窒素含有プラズマを作用させて直接窒化処理し、シリコン窒化膜を形成するプラズマ処理方法であって、前記窒素含有プラズマ中のラジカル成分による窒化反応が支配的となる条件でプラズマ処理を行なう第1のステップと、前記窒素含有プラズマ中のイオン成分による窒化反応が支配的となる条件でプラズマ処理を行なう第2のステップと、を含むことを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L21/318 A , H01L21/31 E

Fターム (13件)：

5F045AA20 , 5F045AB33 , 5F045BB01 , 5F045BB04 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH19 , 5F058BA06 , 5F058BA11 , 5F058BC08 , 5F058BF74 , 5F058BF80 , 5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化硅素単結晶膜および製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036076 出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

特開平1-207930
表面改質方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-328706 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

プラズマプロセスによるSiの表面窒化

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