特許
J-GLOBAL ID:200903013832600695
発光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
半田 昌男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-092465
公開番号(公開出願番号):特開平6-283755
出願日: 1993年03月25日
公開日(公表日): 1994年10月07日
要約:
【要約】【目的】 シリコン用いた発光素子、特にpn接合を用いて電荷を注入し発光させる発光素子を提供することを目的としている。【構成】 p型単結晶シリコン基板12上に高速熱窒化多孔質シリコン層13を作製し、n型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン合金14を高速熱窒化多孔質シリコン層13上へ堆積した。上記の構成とすることによりシリコンを用いたpn接合型の発光素子を実現できた。また、高速熱窒化多孔質シリコンを用いることにより発光効率の低下を防止することのできる発光素子を提供することができる。
請求項(抜粋):
p型又はn型の単結晶シリコン上に形成された多孔質シリコンを熱窒化した熱窒化多孔質シリコンを用いたことを特徴とする発光素子。
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