特許
J-GLOBAL ID：200903013834846250
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219762
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045807
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は、配線基板に対する接続の高さを確保してリフロー温度に対する信頼性を向上させることができる半導体装置を実現しようとするものである。【解決手段】所定の配線パターンが形成された配線基板の所定位置に実装される半導体装置において、配線基板の所定パターンに対応して当該配線基板との対向面に配設された複数の金属バンプのうち、少なくとも3個以上の各金属バンプを他の残りの金属バンプよりも高い融点温度特性を有する金属で形成するようにするようにしたことにより、配線基板に対する接続の高さを確保してリフロー温度に対する信頼性を向上させることができる半導体装置を実現し得る。
請求項（抜粋）：
所定の配線パターンが形成された配線基板の所定位置に実装される半導体装置において、上記配線基板の上記所定パターンに対応して当該配線基板との対向面に配設された複数の金属バンプのうち、少なくとも3個以上の上記各金属バンプを他の残りの上記金属バンプよりも高い融点温度特性を有する金属で形成するようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 N
