特許

J-GLOBAL ID：200903013837297915

薄膜形成法及びその装置

発明者： 平松 健司 ,  大西 寛 ,  森田 訓子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314660
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 膜質の向上、膜厚・膜質の均質化及び成膜の低温化を図る。【構成】 高出力パルスプラズマCVD法において、複数の反応ガスを予め混合してチャンバ201内に導入し、in-situで膜厚分布を計測し、ガス導入条件を制御するとともに、膜厚分布の均一化を図るためにチャンバ201内に多孔板213を配置した。また、膜質の向上のために、分解エネルギーの高いガスの1周期当りの導入回数を増やし、さらに分解補助・不純物除去作用を有するガスを導入した。また、反応ガス導入管56にガス活性手段231を設けた。さらに、基板に印加された負のパルスバイアス74のパルス幅、振幅、およびRF供給パルス71とのタイミングのうち少なくとも1つを変化させて成膜を行うものである。

請求項（抜粋）：

反応炉内に薄膜の材料となる反応ガスを導入し、上記反応炉内に設置された電極間にRF電圧をパルス的に印加してプラズマを生成し反応ガスを分解すると共に、上記反応炉内に設置された基板上で化学反応を起こさせて上記基板に薄膜を堆積させる薄膜形成法において、上記基板に負のDCパルスバイアスを印加し、このDCパルスバイアスのパルス幅、振幅、およびRF供給パルスとのタイミングのうち少なくとも1つを変化させて成膜を行うことを特徴とする薄膜形成法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50