接続孔への配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112150
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】多層にわたり電気的接続をとるために微細化された接続孔に良好にメタルプラグ配線を形成する。【構成】下層配線12と上層配線19とを接続孔14を介して電気的に接続するために該接続孔に導体層16aを形成する接続孔への配線形成方法において、前記下層配線表面あるいは該下層配線表面に形成された導体薄層表面にガスプラズマ処理を施す。

請求項（抜粋）：

下層配線と上層配線とを接続孔を介して電気的に接続するために該接続孔に導体層を形成する接続孔への配線形成方法において、前記下層配線表面あるいは該下層配線表面に形成された導体薄層表面にガスプラズマ処理を施すことを特徴とする接続孔への配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/302 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-060126
特開平3-042837
特開平1-196819

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