特許

J-GLOBAL ID：200903013839242514

レジスト塗布装置、レジスト塗布方法、半導体装置の製造方法

発明者： 井上 武明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 柳瀬 睦肇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384453
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188073
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジストの材料特性を充分に発揮させることにより、微細なレジストパターンをより効率よく形成できるレジスト塗布装置、レジスト塗布方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るレジスト塗布装置は、ウエハ1上の複数の領域に異なるレジスト材料を塗り分けるレジスト塗布装置であって、ウエハ1上にレジスト材料を塗布するノズルヘッド5を具備し、このノズルヘッド5は、複数のノズル部と、各々のノズル部に供給するレジスト材料が入れられたレジスト材料室と、を備えており、各々のノズル部は微小量のレジスト材料を吐出するものである。

請求項（抜粋）：

ウエハ上の複数の領域に異なるレジスト材料を塗り分けるレジスト塗布装置であって、ウエハ上にレジスト材料を塗布するノズルヘッドを具備し、このノズルヘッドは、複数のノズル部と、各々のノズル部に供給するレジスト材料が入れられたレジスト材料室と、を備えており、各々のノズル部は微小量のレジスト材料を吐出するものであることを特徴とするレジスト塗布装置。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  B05C 5/00 101 ,  B05C 9/12 ,  B05D 1/26 ,  B05D 3/06 ,  B05D 7/24 301 ,  G03F 7/16 501

FI (7件)：

B05C 5/00 101 ,  B05C 9/12 ,  B05D 1/26 Z ,  B05D 3/06 Z ,  B05D 7/24 301 T ,  G03F 7/16 501 ,  H01L 21/30 564 Z

Fターム (35件)：

2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025EA04 ,  4D075AC06 ,  4D075AC08 ,  4D075BB47Z ,  4D075BB48Z ,  4D075CA47 ,  4D075DA07 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4F041AA02 ,  4F041AA06 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4F041BA22 ,  4F041CA16 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042BA06 ,  4F042BA11 ,  4F042BA25 ,  4F042CA01 ,  4F042CB02 ,  4F042DB41 ,  4F042DB51 ,  4F042DF25 ,  4F042ED05 ,  5F046JA01 ,  5F046JA02 ,  5F046JA03