特許
J-GLOBAL ID：200903013859061800
固体表面加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070595
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275402
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、固体表面を1サイクルで1から任意の原子層でエッチングでき、また真空容器の汚染も問題とならないエッチング方法を提供することである。【構成】固体表面に1から数原子層の酸化膜などの安定な化合物膜を形成する。次に、この化合物膜を除去する。この工程を繰り返すことで、固体表面を原子層単位でエッチングする。酸化には例えば熱的に励起した酸素分子を用いる。酸化膜の除去には例えば気相のHFを用いる。【効果】金属の酸素物は塩化物と比べ蒸気圧が著しく低いので、真空容器に酸素を導入しても容器の酸化が試料の汚染や真空度低下の原因にならない。熱的に励起した酸素分子でSiなどの半導体表面を酸化すると1nm以下の薄い酸化膜が厚さの制御性良くできる。また気相のHFにより酸化膜のみを除去できる。半導体とその酸化膜との界面は原子レベルで急俊なので、上記の方法で酸化と酸化膜の除去を繰り返すことで、固体を任意の原子層単位でエッチングできる。
請求項（抜粋）：
固体表面に光を含むエネルギ-粒子線を照射して反応を制御しながら化合物膜を形成する工程と、次に該化合物膜を除去する工程を交互に繰り返すことを特徴とした固体表面加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 1/00 101
, H01L 21/268
