特許

J-GLOBAL ID：200903013870389060

半導体記憶装置

発明者： 松熊 茂一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-171262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021750
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】データの書き換えが高速且つ容易に行えるとともに、高集積化にも適した不揮発性メモリを提供する。【構成】強誘電体コンデンサZ1 の一方の電極E1 を、NMOSトランジスタN1 を介してビットラインBLに接続し、NMOSトランジスタN1 のゲートをワードラインWLに接続し、強誘電体コンデンサZ1 の他方の電極E2 をドライブラインに接続して、記憶セルMを構成し、ドライブラインDLを、遅延回路を介してワードラインWLに接続する。さらに、マトリックス状に配設された記憶セルの内、一列に並ぶ記憶セルに対して二本のビットラインを設け、それら記憶セルをその二本のビットラインに振り分けて接続する。

請求項（抜粋）：

ゲートがワードラインに接続されたパストランジスタと、一方の電極は前記パストランジスタを介してビットラインに接続され且つ他方の電極は前記ワードラインが選択されてから所定時間経過した後に立ち上がるドライブラインに接続された強誘電体コンデンサとで構成される記憶セルを、ロウ方向及びカラム方向に並べてマトリックス状に配設するとともに、ロウ方向には、一行に並ぶ記憶セルに対して一本のワードライン及び一本のドライブラインを設け、カラム方向には、一列に並ぶ記憶セルに対して二本のビットラインを設け、そして、それら一列に並ぶ記憶セルを前記二本のビットラインに振り分けて接続したことを特徴とする半導体記憶装置。