特許

J-GLOBAL ID：200903013870676239

太陽電池の製造方法

発明者： 小西 史人 ,  中野 研吾 ,  澁谷 尚
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068366
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275722
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レ-ザ-の如くエネルギ-ビ-ムを用いることによって、従来では複雑であった工程を簡略化し、量産性を上げ、低コスト化を実現しつつ、高い光電流の実現とPN接合破壊の防止を課題とする。【構成】 一導電型の半導体基板の表面に、他導電型の拡散層を形成し、上記他導電型の拡散層上に、部分的に表面電極を設け、この表面電極被着部分の他導電型の拡散層の深さが他の部分より深い太陽電池の製造方法において、少なくとも上記他導電型の拡散層の深い部分は、エネルギ-ビ-ムの照射により形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の表面に、他導電型の拡散層を形成し、上記他導電型の拡散層上に、部分的に表面電極を設け、この表面電極被着部分の他導電型の拡散層の深さが他の部分より深い太陽電池の製造方法において、少なくとも上記他導電型の拡散層の深い部分は、エネルギ-ビ-ムの照射により形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-015035
  
• 特開昭55-128881
  
• 特開昭64-089569