特許

J-GLOBAL ID：200903013873319844

半導体装置及びその製造方法

発明者： 関口 満
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024874
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217310
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 配線間スペースに形成されるエアギャップを大きくすると共に該エアギャップの頂部の位置を低くする。【解決手段】 半導体基板100上の第1の層間膜101の上に複数の配線102が配線間スペース103を介して形成されている。複数の配線102の上及び配線間スペース103に第2の層間膜104が形成されている。配線102は、第1の導電性膜102Aと、第1の導電性膜102Aの上に該第1の導電性膜102Aに沿い且つ該第1の導電性膜102Aの幅方向の両側に張り出すように形成された第2の導電性膜102Bとを有している。第2の層間膜104は、配線間スペース103に形成されたエアギャップ105を有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の層間膜の上に設けられた複数の配線と、前記複数の配線同士の間及び前記複数の配線の上に設けられた第2の層間膜とを備え、前記複数の配線のそれぞれは、第1の導電性膜と、前記第1の導電性膜の上に該第1の導電性膜に沿い且つ該第1の導電性膜の幅方向の両側に張り出すように設けられた第2の導電性膜とを有し、前記第2の層間膜は、前記複数の配線同士の間に形成された空隙を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/88 M

Fターム (41件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM08 ,  5F033MM10 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT06 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX15 ,  5F033XX25