半導体メモリ装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004125
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】バンプ密度を規定値以上の所定の値に設定することによりバンプショートの発生が少ないフリップチップ実装した半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】ハンダバンプ3の数とチップ1の面積とから単位面積当たりのハンダバンプ密度を求め、そのバンプ密度を規定値以上の所定の値に、ダミーバンプ31を加えながら、調整しながら半導体素子を形成する。この素子をバンプショートが発生しないようにフリップチップ実装する。バンプ潰れ量の許容値はバンプピッチにより変化するが、バンプの高さに対して20%以上バンプが潰れるとチップ全体ではバンプショートが多発するようになる。この潰れ量を20%以下に維持し、バンプショートを防ぐにはバンプ密度を連続開口方式では1.9個/mm2 以上、個別開口方式では1.1個/mm2 以上にすれば良い。

請求項（抜粋）：

表面に形成された配線と電気的に接続されている複数の接続電極が形成された実装基板と、複数の接続電極が形成された半導体メモリ素子と、前記実装基板の接続電極と前記半導体メモリ素子の接続電極とを接続するハンダバンプと、前記実装基板と前記半導体メモリ素子との間に設けられた電気的接続に寄与しないダミーバンプとを備え、前記ハンダバンプと前記ダミーバンプとを合わせたバンプ数は、前記半導体メモリ素子と前記実装基板とをフリップチップ接続する際にバンプ潰れの発生しない所定のバンプ密度になるように調整されていることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132758 出願人：株式会社島津製作所
半導体装置及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048321 出願人：株式会社日立製作所
特開昭58-053837

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