特許
J-GLOBAL ID：200903013882216578
強誘電体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064493
公開番号（公開出願番号）：特開平8-263989
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】読み出し時のタイミング設計が容易で、動作速度の高速化を図れる強誘電体記憶装置を実現する。【構成】読み出し動作が開始されると、まず、リファレンスセルRMCに「0」データを書き込んだ後、対をなすメモリセルMC1とリファレンスセルRMC1のスイッチングトランジスタTr1およびRTr1、またはメモリセルMC2とリファレンスセルRMC2のスイッチングトランジスタTr2およびRTr2を導通状態に制御し、さらにプレート線PLおよびRPLを所定電圧に設定して対をなすビット線BL1,BL2間に現出する電位差をセンスアンプSAで検出してデータを読み出し、その後続いてメモリセルMC1またはMC2のデータの再書き込みを行う。
請求項（抜粋）：
第1および第2のビット線のいずれか一方に接続されたスイッチングトランジスタと、第1および第2の電極および両電極間に配置された強誘電体を有し、当該スイッチングトランジスタに第1の電極が接続され、両電極への印加電圧に応じた強誘電体の分極の方向によって2値データを記憶する強誘電体キャパシタとからなるメモリセルと、当該メモリセルと同一構成を有し、スイッチングトランジスタがメモリセルが接続されたビット線と異なるビット線に接続されたリファレンスセルとを備え、メモリセルおよびリファレンスセルのスイッチングトランジスタが導通状態にあるときに両ビット線間の電位差を検出してデータの読み出しを行う強誘電体記憶装置であって、読み出し動作時に、上記リファレンスセルの強誘電体キャパシタの第1の電極に第1の電圧を、第2の電極に第2の電圧を印加して当該リファレンスセルに基準データを書き込む手段と、上記基準データ書き込み後に、上記メモリセルおよびリファレンスセルのスイッチングトランジスタを導通状態にし、当該メモリセルおよびリファレンスセルの強誘電体キャパシタの第2の電極に第2の電圧を印加して、上記データの読み出しを行った後、上記メモリセルの第2の電極に第1の電圧を印加してデータの再書き込みを行う手段とを有する強誘電体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
