特許
J-GLOBAL ID：200903013884355362
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-203000
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051207
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 LDD構造の薄膜トランジスタにおいて、工程数を少なくし、低濃度不純物領域の抵抗を小さくし、電界をより一層緩和する。【構成】 ゲート電極14の両側における半導体薄膜12の浅い部分に低濃度の不純物を注入し、深い部分に高濃度の不純物を注入する。この注入は連続して行い、これにより工程数が少なくなる。そして、裏面左右斜めからのレーザアニールを行うと、半導体薄膜12の両外側の部分に高濃度不純物領域17が形成され、内側の部分に低濃度不純物領域18が形成され、その間に低濃度不純物領域18側から高濃度不純物領域17側にかけて不純物濃度が徐々に増加する不純物濃度変化領域19が形成され、さらに低濃度不純物領域18の内側の部分がゲート電極14とオーバラップすることになる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極と対向して配置された半導体薄膜のチャネル領域の両外側を低濃度不純物領域とされ、その両外側を高濃度不純物領域とされた薄膜トランジスタにおいて、前記低濃度不純物領域と前記高濃度不純物領域との間に前記低濃度不純物領域側から前記高濃度不純物領域側にかけて不純物濃度が徐々に増加する不純物濃度変化領域を形成し、且つ前記低濃度不純物領域の前記チャネル領域側が前記ゲート電極とオーバラップしていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
