特許

J-GLOBAL ID：200903013886531168

入出力バッファ回路装置

発明者： 神長 保男 ,  西尾 洋二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-039683
公開番号（公開出願番号）：特開平8-237102
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】異種電源電圧で駆動する回路を直接接続できるI/Oバッファを提供する。【構成】PAD端子にVCC1,VCC2の異種電源電圧の高い電圧であるVCC2が印加されても、ドライバPMOSトランジスタのパス電流を防止するためドライバPMOSトランジスタのNウェルの電位をPAD端子が≦VCC1-Vth時にVCC1に、PAD端子電圧が≧VCC1+Vth時にPAD端子電圧と等しくVCC1+Vth〜VCC2に、出力モード時にはVCC1に印加,切替え制御する回路方式とした。【効果】ドライバPMOSトランジスタのパス電流を防止する異種電源電圧接続I/Oバッファにおいて、耐ノイズ性,ラッチアップ耐性が大きく向上でき、構成容易な1電源方式の異種電源電圧対応のI/Oバッファ回路装置を実現できる。

請求項（抜粋）：

VCC1<VCC2なる関係のVCC1とVCC2の異種電源電圧で動作する回路を接続するVCC1側のI/Oバッファ回路装置において、ドライバとなるCMOSゲートのPMOSトランジスタのNウェルの電位を、入出力端子であるPAD端子電圧がVCC1-Vth以下の時にVCC1に、PAD端子電圧がVCC1+Vth以上の時に入出力端子の電圧に等しくし、前記I/Oバッファが出力モード時に前記PMOSトランジスタのNウェルの電位をVCC1に切替え制御することを特徴としたI/Oバッファ回路装置。

IPC (4件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/003

FI (3件)：

H03K 19/00 101 P ,  H03K 19/003 C ,  H01L 27/04 E