特許
J-GLOBAL ID：200903013887223360
半導体光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077605
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体基体に形成されるメサストライプに制約がない半導体光素子並びにその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 埋め込み成長の際、メサストライプ上面だけでなく、メサストライプ上部側面の一部にもマスクを形成することで、メサストライプ上面と側面によって構成されるメサストライプの角から、埋め込み層が、少なくともある距離において、メサストライプ側面と接していない半導体光素子を製作するものである。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に形成されたメサストライプの脇に、該メサストライプを構成する半導体層と異なる半導体から構成される埋め込み層を備えた半導体装置において、該埋め込み層が、メサストライプ上面と側面によって構成されるメサストライプの角から、少なくともある距離についてはメサストライプ側面と接していないことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
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