特許

J-GLOBAL ID：200903013888939423

CIS系カルコパイライト化合物半導体薄膜の形成方法及びそれを有する太陽電池の製造方法

発明者： 神谷 武志
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330516
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 Naを膜中に十分拡散させると共にNaの析出による膜表面での凹凸の形成を防止したCIS系カルコパイライト化合物半導体薄膜の形成方法及びそれを有する太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板上にプリカーサIII-VI膜及びCu膜を順次成膜して積層膜を形成し、そして、この積層膜をH2Se 又はSe蒸気でセレン化してCIS系カルコパイライト化合物半導体薄膜を形成する方法において、プリカーサIII-VI膜を、ガラス基板からCu膜方向に向かって、結晶からアモルファスに連続的に変化させる(式中、III及びVIは、それぞれ、周期律表のIII元素及びVI族元素である)。前記、III-VI膜は、例えば、(In1-xGax)-(Se1-ySy)膜である。前記プリカーサIII-VI膜の結晶からアモルファスへの連続的な変化は、III2VI3を蒸着源として、基板温度を蒸着開始時の250〜450°Cから蒸着終了時の350〜80°Cまでの130〜230°Cの間を3〜20°C/分の降温レートで降温しながら、真空蒸着することにより行われる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にプリカーサIII-VI膜及びCu膜を順次成膜して積層膜を形成し、そして、この積層膜をH2Se 又はSe蒸気でセレン化してCIS系カルコパイライト化合物半導体薄膜を形成する方法において、プリカーサIII-VI膜を、ガラス基板からCu膜方向に向かって、結晶からアモルファスに連続的に変化させることを特徴とするCIS系カルコパイライト化合物半導体薄膜の形成方法(式中、III及びVIは、それぞれ、周期律表のIII元素及びVI族元素である)。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/363