特許
J-GLOBAL ID：200903013890822886
テトラシクロドデセン誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-252169
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 高い反応転化率および反応選択率で効率よくテトラシクロドデセン誘導体を製造することができる方法を提供すること。【構成】 ディールス・アルダー型の熱付加反応させることにより、下記化1(R1 〜R12は、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、ハロゲン原子または一価の有機基)で表わされるテトラシクロドデセン誘導体を製造する方法において、(ジ)シクロペンタジエン類と、特定のオレフィン化合物と、特定の中間体とを、ピストンフロー型反応器に連続的に供給することを特徴とする。【化1】
請求項（抜粋）：
シクロペンタジエン類および/またはジシクロペンタジエン類と、オレフィン化合物とをディールス・アルダー型の熱付加反応させることにより、下記化1で表わされるテトラシクロドデセン誘導体を製造する方法において、シクロペンタジエン類および/またはジシクロペンタジエン類と、下記化2で表わされるオレフィン化合物と、下記化3で表わされる化合物とを、ピストンフロー型反応器に連続的に供給することを特徴とするテトラシクロドデセン誘導体の製造方法。【化1】【化2】【化3】〔上記化1〜化3において、R1 〜R12は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜10の炭化水素基、ハロゲン原子または一価の有機基であって、これらは同一またはそれぞれ異なっていてもよい。また、R9 とR10またはR11とR12は、一体化して2価の炭化水素基を形成していてもよく、更に、R9 またはR10と、R11またはR12とは互いに環を形成していてもよい。〕
IPC (7件)：
C07C 13/68
, C07B 37/12
, C07B 61/00
, C07C 2/50
, C07C 23/46
, C07C 69/753
, C07C255/47
