特許

J-GLOBAL ID：200903013894271388

半導体パターン検査装置および半導体パターン検査方法

発明者： 杉山 秀司 ,  船津 隆一 ,  宮井 裕史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264996
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093950
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】試料の半導体回路パターン領域の検査を行う際に、欠陥部と下地で明確なコントラストが得られ、幅広い種類のパターンの欠陥,空隙,各種材質の異物を検出でき、その検査された欠陥検出結果を用いて欠陥を分類することができる半導体パターン検査装置及び半導体パターン検査方法を提供する。【解決手段】少なくとも荷電粒子源と照射光学手段における電子光学条件によって決定される検査条件が複数の異なる検査条件であって、該複数の検査条件で試料を照射し得られた複数の欠陥情報を用いて、試料の欠陥を分類する欠陥分類手段を備える。

請求項（抜粋）：

一次荷電粒子線を発生する荷電粒子源と、前記一次荷電粒子線を収束し半導体パターンを有する試料を走査する照射光学手段と、前記試料から発生する荷電粒子を検出する検出器と、前記検出器の検出信号から前記試料の欠陥情報を得る欠陥情報手段とを有する半導体パターン検査装置において、少なくとも前記荷電粒子源と前記照射光学手段における電子光学条件によって決定される検査条件が複数の異なる検査条件であって、該複数の検査条件で前記試料を照射し得られた複数の欠陥情報を用いて、前記試料の欠陥を分類する欠陥分類手段を備えたことを特徴とする半導体パターン検査装置。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01B 15/04 ,  G01N 23/225 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/302

FI (5件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 15/04 ,  G01N 23/225 ,  G01R 1/06 F ,  G01R 31/28 L

Fターム (65件)：

2F067AA45 ,  2F067AA54 ,  2F067AA62 ,  2F067BB01 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067EE03 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067PP12 ,  2F067QQ02 ,  2F067QQ03 ,  2F067RR12 ,  2F067RR35 ,  2F067SS02 ,  2F067SS13 ,  2F067UU32 ,  2G001AA03 ,  2G001AA09 ,  2G001BA07 ,  2G001CA03 ,  2G001FA06 ,  2G001FA16 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001GA09 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA08 ,  2G001JA11 ,  2G001JA14 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001PA12 ,  2G001SA02 ,  2G001SA03 ,  2G011AA01 ,  2G011AC06 ,  2G011AE01 ,  2G011AE03 ,  2G011AF06 ,  2G032AD08 ,  2G032AE04 ,  2G032AE08 ,  2G032AE09 ,  2G032AE11 ,  2G032AF08 ,  2G032AK04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DB05 ,  4M106DB20 ,  4M106DB21 ,  4M106DH33 ,  4M106DJ01 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ27 ,  4M106DJ28