特許

J-GLOBAL ID：200903013902743111

化合物系超電導線およびその製法

発明者： 久保 芳生 ,  江川 邦彦 ,  樋熊 弘子 ,  永井 貴之 ,  内川 英興
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194781
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338228
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【構成】 Cu基金属材とSn基金属材またはGa基金属材とからなる複合体22中に、多数のNbまたはV基金属フィラメント23が相互に接触しないように埋設されてなる化合物系超電導線の先駆体21および該先駆体を熱処理してえられる超電導線とその製造法。【効果】 フィラメント間の接触確率が減り、有効フィラメント径の値が大幅に減少する結果、パルス電流の通電時のヒステリシス損失が減少し超電導コイルの安定性向上。また、Snの拡散距離が短いので、Nb3Snフィラメントの組成が均一になり、Jcおよびn値が向上。またSn拡散の予備熱処理時間が短くコスト低減。

請求項（抜粋）：

低Sn濃度のブロンズと該ブロンズに埋設されたNb3SnフィラメントからなるNb-Sn化合物系超電導線であって、中心部は低Sn濃度のブロンズのみからなり、その周囲に同心状にNb3Snフィラメントが分離して配列され、さらにその周囲にNb3Snフィラメントが同心状に順次外周に向かって配列されるとともに、300〜600°Cの予備熱処理によって生成されるε相ブロンズ層の境界領域での該Nb3Snフィラメントの間隔が他の部分での該Nb3Snフィラメントの間隔よりも大となるように配置されてなるNb-Sn化合物系超電導線。

IPC (3件)：

H01B 12/10 ZAA ,  C22F 1/00 ,  H01B 13/00 565

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-043515
  
• 特開平4-298914
  
• 特開昭48-075190
  
• 特開平4-095316