特許

J-GLOBAL ID：200903013903648350

不揮発性半導体メモリ

発明者： 三木 和彦 ,  酒井 日出男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015783
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213684
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】アドレスセットアップ期間が設けられていない場合における誤読み出しを防止するとともに、さらなる高速読み出しあるいは低電圧動作を可能とする不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】フリップフロップタイプのセンスアンプを用いて、プリチャージ/ディスチャージ方式によりリードセルとリファレンスセルのビット線電圧の変化を比較し、オンセルかオフセルかの読み出しを行う不揮発性半導体メモリであって、前記リードセルに接続されたワード線はプリチャージの開始と同期して選択状態に遷移するように設定されており、前記リファレンスセルに接続されたワード線は前記プリチャージの終了と同期して選択状態に遷移するように設定される。

請求項（抜粋）：

フリップフロップタイプのセンスアンプを用いて、プリチャージ/ディスチャージ方式によりリードセルとリファレンスセルのビット線電圧の変化を比較し、オンセルかオフセルかの読み出しを行う不揮発性半導体メモリにおいて、前記リードセルに接続されたワード線はプリチャージの開始と同期して選択状態に遷移するように設定されており、前記リファレンスセルに接続されたワード線は前記プリチャージの終了と同期して選択状態に遷移するように設定されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 634 B ,  G11C 17/00 634 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-192596
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013596   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社