特許

J-GLOBAL ID：200903013905806289

半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ-トを増大させる方法及びCMP方法

発明者： ロナルド ジョセフ シュッツ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359334
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183004
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 CMPプロセス中半導体ウェーハからの金属障壁バリヤ層及び導電層の除去を等化し、ウェーハの表面に亘っての金属及び絶縁体領域から成るフラットな表面を形成するか、又は、前述の2ステップCMPプロセスにて金属障壁バリヤ層の除去レートを高める方法を創出すること。【解決手段】 半導体ウェーハの化学機械研摩プロセス中の金属除去レートを増大させる方法において、絶縁体層と、該絶縁体層の少なくとも1部分領域上に形成された金属障壁バリヤ層と導電層とを有する半導体ウェーハを設けるステップ、少なくとも1つのキレート化剤を金属除去レートを増大させる量だけ含有する第1の化学機械研摩スラリーに半導体ウェーハをコンタクト接触させるステップを具備すること。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの化学機械研摩プロセス中の金属除去レートを増大させる方法において、下記のステップa)及びb)を具備する、即ち、a)絶縁体層と、該絶縁体層の少なくとも1部分領域上に形成された金属障壁バリヤ層とその上に形成された導電層とを有する半導体ウェーハを設けるステップ、b)少なくとも1つのキレート化剤(chelating agent)を金属除去レートを増大させる量だけ含有する第1の化学機械研摩スラリーに半導体ウェーハをコンタクト接触させるステップを具備することを特徴とする半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レートを増大させる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 621 D ,  C09K 3/14 550 Z