特許

J-GLOBAL ID：200903013907301370

半導体レーザ

発明者： 開本 亮 ,  橋本 豊之
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 武石 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172432
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021567
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 4元AlGaInPダブルヘテロ構造の活性層近傍に正確に、かつ再現性良く、高抵抗層を発現せしめ、これによる電流狭搾作用により、レーザ光を高効率に生成することができる半導体レーザを提供する。【構成】 4元AlGaInPダブルヘテロ構造基板に窒素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行うことにより、電流狭搾用の高抵抗層をレーザ活性層近傍に形成する。

請求項（抜粋）：

レーザ光の発生が可能な量子井戸構造を有する、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、リン(P) の4元素から成る半導体基板に対し、窒素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行うことにより、ポンピング電流を狭搾する高抵抗層をレーザ活性層近傍に形成したことを特徴とした半導体レーザ。