特許

J-GLOBAL ID：200903013907406385

窒素化合半導体の製造方法

発明者： 柊元 宏 ,  渡部 信一 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 藤本 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180709
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014772
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 少量の窒素含有原料の使用で窒素原子を効率よく取り込ませることができ、かつキャリア濃度に優れた窒素化合のp型半導体を電子線照射等の後処理工程の必要なく製造できる方法を得ること。【構成】 窒素をV族成分とするIII-V族化合物半導体をCVD方式で形成するにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いる窒素化合半導体の製造方法。【効果】 基板の高温加熱を要さず、良好な特性を発揮する発光素子等のデバイスを形成できる窒素化合半導体が効率的に得られる。

請求項（抜粋）：

窒素をV族成分とするIII-V族化合物半導体をCVD方式で形成するにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いることを特徴とする窒素化合半導体の製造方法。