特許

J-GLOBAL ID：200903013908535898

半導体装置

発明者： 河野 敏弘 ,  魚見 和久 ,  山下 茂雄 ,  岡 聡彦 ,  菊池 悟
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125131
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体レ-ザに関し、リ-ク電流を低減した低閾値埋込ヘテロレ-ザを提供することにある。【構成】 変曲点の無い滑らかな側面形状を持つメサストライプをp-n接合により埋込み、気相成長法特有の成長ハビットを利用してp-InP埋込層5の膜厚をメサ近傍で(133)面がでるよう制御する。更にn-InP埋込層6を連続して成長し、且つその周囲をp-InP層で囲うよう成長した埋込ヘテロレ-ザ。【効果】 n-n接続の無い電流ブロック構造が実現できるため、無効電流を低減でき低閾値化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、活性層を含む多層構造を有し、該多層構造をメサストライプ状に加工し、メサ側面を第1の半導体層及び第2の半導体層を含む半導体多層膜で埋め込み、且つ該メサ側面が変曲点の無い滑らかな曲面を有する半導体装置において、メサストライプ近傍における該第1の半導体埋込層と該第2の半導体埋込層の界面が{100}面に対して76±5 ゚であることを特徴とする半導体装置。