磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-024111
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222710
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】線記録密度を上げるため、再生ヘッドのギャップ長を小さくする必要があり、感磁部と下シールド膜および上部シード間の絶縁性を確保が難しい。磁気抵抗変化膜の感磁部以外の領域には、磁区制御膜、電極膜が磁気抵抗変化膜に乗上げた状態のため、絶縁性の確保が難しく線記録密度向上の障害になる。【解決手段】磁気抵抗効果素子と該素子の両側の電極が、上下にギャップ絶縁膜を介し上下のシールドに挟まれた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて磁気抵抗変化膜の両側面に電極を接続したアバテッドジャンクションと呼ばれる構造で、該素子の感磁部は上ギャップ絶縁膜で絶縁され、感磁部以外は少なくとも1層もしくは2層以上の耐圧保護膜と上ギャップ絶縁膜で上シールド膜と絶縁され、電極を接続する工程で用いるステンシル形状のレジストマスク付けて形成した耐圧保護膜の端部と感磁部の端部が、略一致するようにセルフアライメントする。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果素子と前記磁気抵抗効果素子の両側に設置した電極が、上下にギャップ絶縁膜を介して上下のシールドに挟まれた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて磁気抵抗変化膜の両側面に電極を接続したアバテッドジャンクションと呼ばれる構造で、磁気抵抗効果素子の感磁部は上ギャップ絶縁膜で絶縁され、感磁部以外は少なくとも1層もしくは2層以上の耐圧保護膜と上ギャップ絶縁膜で上シールド膜と絶縁されており、前記電極を接続する工程で用いるステンシル形状のレジストマスク付けた状態で形成された耐圧保護膜の端部と前記感じ部の端部が、略一致するようにセルフアライメントされたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。

Fターム (7件)：

5D034BA04 , 5D034BA09 , 5D034BA15 , 5D034BA17 , 5D034BB08 , 5D034CA06 , 5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273272 出願人：株式会社日立製作所

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