特許
J-GLOBAL ID：200903013927183579

アルミニウム含有膜のスパッタ蒸着において水素及び酸素ガスを利用する方法及びそれによって得られるアルミニウム含有膜

発明者：
レイナ、カンウォル ケイ.

レイナ、カンウォル ケイ. について

, 
ウェルズ、デイビッド エイチ.

ウェルズ、デイビッド エイチ. について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド

マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-503258
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517514
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：
【要約】アルミニウム含有膜(134)は、膜中に酸素を含有する。アルミニウム含有膜は、半導体基板(122)の上にアルミニウム又はアルミニウム合金をスパッタ蒸着する間に、アルゴンガスに水素ガスを混ぜたものか、アルゴンガスに水素ガスと酸素ガスとの混合気を、スパッタ蒸着真空チャンバに導入することによって形成される。このようにして形成されたアルミニウム含有膜は、ヒロックが存在せず、抵抗率が低く、純粋アルミニウムに比べて粗さが小さく、機械的強さが良好であり、残留応力が小さい。
請求項（抜粋）：
少なくとも微量の酸素含量を膜中に含む、ヒロックが概ね存在しないアルミニウム含有膜。
IPC (4件)：
C23C 14/14 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (4件)：
C23C 14/14 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 L
Fターム (22件)：
4K029BA03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD38 ,  4M104HH03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103DD28 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH10 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 多層配線板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326777   出願人：カシオ計算機株式会社
  • アルミニウム系合金膜の成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-355633   出願人：カシオ計算機株式会社
  • 特開平3-012036
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