特許
J-GLOBAL ID：200903013936722601
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-035982
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤフラムの厚さを従来に比して更に薄くすることができて、半導体加速度センサのより一層の高感度化及び小型化を達成できると共に製品コストの上昇を回避できる半導体加速度センサの製造方法を提供する。【構成】 先ず、シリコンウエハ1の表面にピエゾ抵抗素子を形成した後、ウエハ1の裏面側から異方性ウェットエッチングにより平面視でリング状に溝8を設け、ダイヤフラム2及びボス部3を形成する。次に、ダイヤフラム2上にアルミニウム配線等を選択的に形成した後、ウエハ1の表面側からリアクティブイオンエッチングを施し、ダイヤフラム1のピエゾ抵抗素子及びアルミニウム配線が形成されていない部分を薄肉化する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの一方の面のダイヤフラム形成予定領域に感歪素子を形成する工程と、前記半導体ウエハの他方の面側から異方性ウェットエッチングを施し平面視でリング状に溝を設けてダイヤフラムを形成する異方性ウェットエッチング工程と、前記半導体ウエハの前記一方の面側から前記ダイヤフラムの前記感歪素子が形成されていない領域を選択的にリアクティブイオンエッチングするリアクティブイオンエッチング工程と、を有することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
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