特許
J-GLOBAL ID：200903013938610762
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022135
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 従来よりも高いバッファ耐圧をもつ電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 本発明は基板上にバッファ層が形成される化合物半導体の電界効果トランジスタにおいて、例えば酸素(O)、窒素(N)、ホウ素(B)のうちの少なくとも1つを2次元的に添加すること、または炭素(C)と結合する、例えばO、N、Bのうちの少なくとも1つを2次元的に添加することを特徴とする。これらの物質は、基板とバッファ層との界面において、基板の残留不純物であるSiと結合をしてこのSiを不活性化させる効果を持つ。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上にバッファ層が形成されている電界効果トランジスタにおいて、基板とバッファ層との界面に酸素、窒素、ホウ素のうち少なくとも1つが2次元的に添加されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ05
, 5F102GJ06
, 5F102GK05
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN05
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GR07
, 5F102HC01
, 5F102HC04
