特許
J-GLOBAL ID：200903013942186029
二次イオン質量分析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333056
公開番号（公開出願番号）：特開平8-166363
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 所望の分析領域内の不純物深さ方向分布を分析領域上の膜、元素及び試料作製の影響を受けることなく測定できる二次イオン質量分析方法を提供する。【構成】 試料は、シリコン基板(1)上に砒素がドーピングされているポリシリコン(2)、二酸化シリコン(3)、窒化シリコン(4)及びアルミニウム(5)が堆積されているもので、シリコン基板(1)側から機械研磨法によって薄層化した後、試料のシリコン基板(1)側の端部の領域(6)の側面(6 ́)に対して垂直に図2(c)に示すように、集束イオンビーム装置(7)を照射して掘削し、図2(d)に示すように領域(6)の試料の厚さを1μmにする。このように加工した試料の領域(6)に対し、SIMS装置を用いてCs+一次イオンビームを照射し、スパッタリングによって発生する砒素(As)二次イオンを検出する。このように分析箇所の基板側の側面を、集束イオンビーム法により掘削し薄層化を行った後、前記領域を二次イオン質量分析装置を用いて測定する。
請求項（抜粋）：
試料の被分析箇所に一次イオンビームを照射することによって発生する二次イオンを質量分析して前記試料の元素分析を行う二次イオン質量分析方法において、前記所定箇所の上層もしくは表層に凹凸や金属膜及び測定元素イオンと同等もしくは質量電荷比の近接したイオンを発生させる恐れのある材料膜が存在する場合、前記測定所定の側面を集束イオンビーム法を用いて掘削することによって前記所定箇所付近の試料厚を薄くした後に前記一次イオンビームを前記所定箇所の裏面に照射することを特徴とする二次イオン質量分析方法。
IPC (3件)：
G01N 23/225
, G01N 27/62
, H01J 49/26
