特許
J-GLOBAL ID：200903013945884673
磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240978
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099114
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【構成】 Ni-FeあるいはNi-Fe-Coの合金の多結晶集合体よりなる磁気抵抗効果薄膜において、膜厚15nm<δ<40nm、結晶粒径Dと膜厚δとの関係が、0.58δ≦D≦δである磁気抵抗効果薄膜とする。【効果】 本発明の結果、磁気抵抗効果薄膜の比抵抗を小さくすることが出来る。この磁気抵抗効果薄膜を用いたMRヘッドでは、通電寿命が顕著に長くなる。また、従来のMRヘッドに比べて、磁気抵抗効果膜の比抵抗が小さいことから、素子に流す電流を増すことが可能となり、ヘッドの再生出力を増大させることも可能となる。
請求項（抜粋）：
Ni-Fe、あるいは、Ni-Fe-Coの合金の多結晶集合体よりなる磁気抵抗効果薄膜において、膜厚δが15nm<δ<40nmであり、かつ、δと結晶粒径Dとの関係が、0.58δ≦D≦δであることを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。
IPC (6件)：
H01F 10/14
, C23C 14/14
, G11B 5/39
, H01L 21/203
, H01L 43/02
, H01L 43/12
