特許
J-GLOBAL ID：200903013945955279
半導体ウェーハ製造装置および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-211043
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050234
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 通常のシリコンウェーハあるいは接着SOIウェーハのSOI層の高平坦度化を実現することができるような半導体ウェーハ製造装置および製造方法を提供する。【構成】 静電容量型厚さ測定機を用いて、研磨済みのシリコンウェーハ1を3.8mmφ角ごとに厚さ測定し、測定位置ごとの厚さデータを記憶させる。次に、厚さ測定済みのシリコンウェーハ1をヒータ2により900〜1200°Cに加熱し、厚さの厚い部分1aのみにノズル3から酸素を噴出させて部分酸化させる。酸素噴出位置および噴出時間は前記測定データに基づいて制御される。厚い部分1aの部分酸化がすべて完了したらヒータ2の電源を切り、シリコンウェーハ1を常温まで冷却した後、希釈したふっ化水素酸に浸漬して洗浄し、酸化膜を除去する。前記酸化、洗浄に代えて、厚い部分1aのみにエッチング液を噴射する方法を用いてもよい。
請求項（抜粋）：
研磨済みのシリコンウェーハまたは接着SOIウェーハを載置するサセプタと、前記ウェーハを加熱するヒータと、前記ウェーハに酸素を噴射する1個または複数個のノズルと、前記ノズルの移動・停止および停止位置における酸素噴出量を制御する制御装置とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハ製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/306
, H01L 27/12
