特許
J-GLOBAL ID：200903013949143600
熱電気変換モジュールの製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282481
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199766
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】大容量で曲面に密着できる熱電気変換モジュールおよびそれを正確、容易かつ安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】 多数の貫通孔を有するハニカム構造体の順次の孔にN型半導体素子およびP型半導体素子を交互に挿入し、隙間を充填材で充填し、ハニカム構造体を所望の形状に切断した後、上下の表面に露出する半導体素子の端部を電極で交互に接続して全てのN型半導体素子およびP型半導体素子を交互にカスケード接続する。その後、充填材または充填材およびハニカム構造体を除去する。
請求項（抜粋）：
ハニカム構造体中に形成された多数の貫通孔の中に、N型半導体細条または細条群およびP型半導体細条または細条群を、これらN型半導体細条または細条群およびP型半導体細条または細条群が交互に配列されるように挿入する工程と、各貫通孔内の半導体細条との隙間に充填材を充填する工程と、全体を所望の形状に切り出して、前記半導体細条により形成された半導体素子をハニカム構造体の第1および第2の表面で露出させる工程と、これら第1および第2の表面で露出された半導体素子の端部を電極を介してカスケード接続する工程と、前記充填材を除去する工程とを具えることを特徴とする熱電気変換モジュールの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/32 A
, H01L 35/14
