半導体記憶装置およびそれを用いた応用装置、ならびに半導体記憶装置の救済方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322525
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149586
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】組み立て後、実装後に検出された不良アドレスを救済アドレスに置き換えて不良品を救済できる半導体記憶装置、その応用装置を提供する。【解決手段】 256MのシンクロナスDRAMであって、メモリアレイ、アドレスバッファ、ラッチ回路、プリデコーダ、救済回路、デコーダなどから構成され、ロウ系/カラム系の救済回路7,8は、組み立て後に検出された不良アドレスを記憶する不良アドレス記憶回路21と、入力されたアドレスと記憶した不良アドレスとを比較して、一致しない場合には入力アドレス、一致した場合には救済アドレスをそれぞれ選択するアドレス比較選択回路22などから構成される。通常の書き込み・読み出し時には、入力アドレスによりメモリアレイ内の任意の正規のメモリセルを選択するか、救済アドレスによりメモリアレイ内の任意の冗長用のメモリセルを選択して、書き込み・読み出しを行うことができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルからなるメモリアレイと、このメモリアレイの組み立て後に検出された不良アドレスを救済アドレスに置き換える救済回路とを有し、前記救済回路は、前記組み立て後に検出された不良アドレスを記憶する不良アドレス記憶回路と、入力されたアドレスと前記不良アドレス記憶回路に記憶されている不良アドレスとを比較して、一致しない場合には前記入力されたアドレスを選択し、一致した場合には前記入力されたアドレスに対応した救済アドレスを選択するアドレス比較選択回路とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 29/00 601 , G06F 12/16 310 , G06K 19/07 , G11C 11/413 , G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (7件)：

G11C 29/00 601 B , G06F 12/16 310 P , G06K 19/00 N , G11C 11/34 341 C , G11C 11/34 341 D , G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 371 D

Fターム (26件)：

5B015JJ11 , 5B015KB41 , 5B015NN09 , 5B018GA03 , 5B018GA06 , 5B018HA21 , 5B018JA22 , 5B018KA13 , 5B018KA17 , 5B018MA24 , 5B018NA02 , 5B018NA10 , 5B024AA03 , 5B024AA15 , 5B024BA29 , 5B024CA07 , 5B024CA15 , 5B024EA01 , 5B035AA11 , 5B035BB09 , 5B035CA29 , 5B035CA31 , 5L106AA01 , 5L106AA02 , 5L106CC09 , 5L106DD25

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